薛舫时
【姓名】 薛舫时
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 半导体物理和器件研究
【发表文献关键词】 波阻抗,传输比,量子阱,转移电子器件,谐振隧穿,异质结,8mm波段,能带混合,异质谷间转移电子效应,Gunn效应,异质谷间转移电子器件,转移模,异质结构,隧穿,异质谷间转移电子器伴,稳态放大模式,有源...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京南京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/8 8 8 8 17 325
中国期刊全文数据库    共找到8篇
[1]薛舫时.纳米结构器件材料结构参数的新测试方法[J]半导体学报.2000,(02)
[2]薛舫时.异质谷间转移电子器件的计算机模拟[J]固体电子学研究与进展.1995,(02)
[3]薛舫时.能带混合量子阱的触发功能和异质谷间转移电子放大器件的研究[J]固体电子学研究与进展.1997,(02)
[4]薛舫时.GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件动态工作模式的模拟研究[J]电子学报.1998,(08)
[5]薛舫时.多孔硅中电子光跃迁过程的研究[J]固体电子学研究与进展.1998,(01)
[6]薛舫时.散射对量子阱隧穿电流的影响[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
[7]薛舫时,邓衍茂,张崇仁,彭正夫,张允强.异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW[J]固体电子学研究与进展.1992,(04)
[8]薛舫时.半导体量子阱隧穿过程中的波阻抗和谷间传输比[J]电子学报.1992,(11)
更多