徐大鹏
【姓名】 徐大鹏
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 立方GaN,X光双晶衍射,六角相含量,立方相,MOCVD,GaN,立方相GaN,双晶衍射,InGaN,GaAs,热退火,MOCVD生长,六角相,光致发光,X射线,峰位置,低值氧化物,立方相AlGaN,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]李顺峰,杨辉,徐大鹏,赵德刚,孙小玲,王玉田,张书明.高质量立方相InGaN的生长[J]半导体学报.2000,(06)
[2]渠波,郑新和,王玉田,韩景仪,徐大鹏,林世鸣,杨辉,梁骏吾.立方相GaN/GaAs(001)外延层中六角相的分布特征[J]中国科学E辑:技术科学.2001,(03)
[3]冯志宏,杨辉,徐大鹏,赵德刚,王海,段俐宏.立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOCVD外延生长[J]半导体学报.2002,(02)
[4]赵德刚,杨辉,徐大鹏,李建斌,王玉田,郑联喜,李顺峰,王启明.立方相Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的光致发光研究[J]半导体学报.1999,(08)
[5]孙小玲,杨辉,王玉田,李国华,郑联喜,李建斌,徐大鹏,王占国.MOCVD方法制备的立方GaN/GaAs(001)中六角相含量退火行为的研究[J]中国科学(A辑).1999,(05)
[6]徐大鹏,王玉田,杨辉,郑联喜,李建斌,段俐宏,吴荣汉.立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究[J]中国科学(A辑).1998,(12)
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