学者知网节

徐波

【姓名】	徐波
【职称】	高级工程师;
【研究领域】	无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】	半导体低维结构材料的可控制备及器件应用研究
【发表文献关键词】	大功率,半导体激,InGaAs盖层,快速热退火,固体激光器,InAs/GaAs量子点,光材料,量子点,量子点激光器,铟铝砷,能级间距,工作寿命,半导体激光器,InAlAs,InAs/GaAs,量子阱激...
【工作单位】	中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】	中国科学院半导体研究所;
【所在地域】	北京

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
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中国期刊全文数据库 共找到42篇

[1]张世著;叶小玲;徐波;刘舒曼;周文飞;王占国;.Fabrication of Low-Density Long-Wavelength InAs Quantum Dots using a Formation-Dissolution-Regrowth Method[J]Chinese Physics Letters.2013,(08)

[2]薛小帝;刘雨;朱来攀;黄威;张洋;曾晓琳;吴静;徐波;王占国;陈涌海;张伟风;.Spin Transport under In-plane Electric Fields with Different Orientations in Undoped InGaAs/AlGaAs Multiple Quantum Wells[J]Chinese Physics Letters.2019,(07)

[3]秦璐;徐波;许兴胜;.利用大周期光子晶体结构增强InAs/GaAs量子点的激发态发光（英文）[J]红外与毫米波学报.2019,(05)

[4]谷云高;杨新荣;周晓静;徐波;王俊忠;.As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响[J]西南大学学报(自然科学版).2017,(03)

[6]杨新荣;王海飞;赵晶;周晓静;徐波;王占国;.InP基InAs量子线异常的变温光致发光谱研究[J]低温物理学报.2017,(03)

[7]刘广政;徐波;叶晓玲;刘峰奇;王占国;.四步法制备高质量硅基砷化镓薄膜（英文）[J]无机材料学报.2016,(11)

[8]杨新荣;周晓静;王海飞;郝美兰;谷云高;赵尚武;徐波;王占国;.As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响[J]物理学报.2015,(06)

[9]杨新荣;徐波;赵国晴;申晓志;史淑惠;李洁;王占国;.InP基近红外波段量子线激光器的温度特性研究[J]物理学报.2012,(21)

[10]杨新荣;徐波;赵国晴;周晓静;王占国;.应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响[J]中国科学:物理学力学天文学.2012,(03)

中国重要会议全文数据库 共找到7篇

[1]杨冠卿;徐波;梁平;吕尊仁;胡颖;于天;刘峰奇;杨涛;陈涌海;王占国;.外延生长法制备的Si基1.3微米量子点激光器[A].第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集.2017-05-25

[2]秦璐;许兴胜;徐波;张连学;葛超洋;冉广照;.金属辅助透明导电键合的GaAs量子点硅基混合激光器[A].第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集.2017-05-25

[3]秦璐;任博;徐波;许兴胜;.透明导电键合GaAs基InAs量子点和硅波导[A].第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文摘要集.2016-06-16

[4]刘广政;杨冠卿;于天;徐波;刘峰奇;王占国;.分子束外延生长高质量Ge基GaAs外延层及InAs量子点[A].第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文摘要集.2016-06-16

[5]魏永强;刘会云;徐波;丁鼎;梁基本;王占国;.快速热退火对带有InGaAs盖层的InAs/GaAs量子点发光特性的影响[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30

[6]徐波;王占国;梁基本;韩勤;龚谦;刘会贇;姜卫红;魏永强;丁鼎;钱家骏;刘峰奇;张金福;张秀兰;张元常;吴巨;陈涌海;杨锡权;叶小玲;.应变自组装量子点材料和量子点激光器[A].2000年材料科学与工程新进展（下）——2000年中国材料研讨会论文集.2000-06-30

[7]张金福;刘会赟;徐波;陈涌海;丁鼎;王占国;.种子层对较大共格InAs/GaAs量子点的形成的影响[A].第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集.2001-10-01

承担国家科研项目 共找到2个

[1]徐波;.1.3微米量子点激光材料及器件应用[A].中国科学院半导体研究所;.项目经费 18万元.2000-03-31.资助文献数 2 篇

[2]徐波.新型量子点纳米结构制备和表征[A].中国科学院半导体研究所.项目经费 152万元.2009-03-20.资助文献数 0 篇