王杏华
【姓名】 王杏华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 瞬态法,反型层,低温强磁场,杂质分布,输运特性,泊松方程,二维电子气,GaAs,量子阱,二极管,异质结,GaInAs,分子束外延,半导,AlGaAs,杂质,应变量子阱,电子浓度,光荧光,量子点阵,选择...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]余金中,王杏华.半导体量子器件物理讲座 第一讲 异质结构和量子结构[J]物理.2001,(03)
[2]余金中,王杏华.半导体量子器件物理讲座 第六讲 半导体量子阱激光器[J]物理.2001,(11)
[3]余金中,王杏华.半导体量子器件物理讲座 第七讲 半导体异质结光电探测器[J]物理.2002,(08)
[4]王杏华,李国华,李承芳,李月霞,程文超,宋爱民,刘剑,王志明.GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性[J]发光学报.1998,(03)
[5]周洁,王杏华,李树英.硅中金杂质分布的测量[J]半导体学报.1981,(01)
[6]郑厚植,程文超,朱詠堂,王杏华,李月霞,毕可奎,李承芳,江丕桓.低温强磁场下Si MOS反型层输运特性的研究[J]低温物理.1985,(03)
[7]江丕桓,李月霞,杨富华,王杏华.分子束外延选择性掺杂的GaAs/N-Al_xGa_(1-X)As异质结中的二维电子气[J]半导体学报.1986,(02)
[8]王杏华,Reino Laiho.GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的荧光特性[J]半导体学报.1990,(01)
[9]王杏华,郑厚植.GaAs/AlGaAs量子阱的输运特性[J]半导体学报.1990,(10)
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