王凤莲
【姓名】 王凤莲
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 微缺陷,GaAs晶体,单晶,量子点,InAs,层错,对重,GaAs,自组织生长,位错,小角晶界,砷化镓单晶,载流子浓度,核性质,位错环,子串,双弧,阳极腐蚀,量子点结构,些量,高能带,衬度,耦合,光峰...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]王志明,邓元明,封松林,吕振东,陈宗圭,王凤莲,徐仲英,郑厚植,高旻,韩培德,段晓峰.自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究[J]半导体学报.1997,(07)
[2]何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲.掺Te-GaAs单晶微缺陷微沉淀的研究[J]半导体学报.1981,(01)
[3]褚一鸣,何宏家,曹福年,白玉珂,费雪英,王凤莲.极性对重掺GaAs晶体中小晶面效应的影响[J]半导体学报.1981,(02)
[4]何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲,褚一鸣.原生掺Si砷化镓单晶微缺陷的研究[J]半导体学报.1983,(06)
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