孙虹
【姓名】 孙虹
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SI-GaAs,补偿机理,GaAs,电学,单晶,全部电离,浅施主,热稳定性,受主中心,禁带,深中心,补偿模型,电中性方程,半绝缘,本征缺陷,热处理过程,浅杂质,GaAs晶体,光峰,n型,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]刘王来;徐波;梁平;胡颖;孙虹;吕雪芹;王占国;.Influence of a tilted cavity on quantum-dot optoelectronic active devices[J]半导体学报.2009,(09)
[2]王占国,戴元筠,徐寿定,杨锡权,万寿科,孙虹,林兰英.SI-GaAs单晶热稳定性及其电学补偿机理研究[J]固体电子学研究与进展.1991,(03)
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