阮圣央
【姓名】 阮圣央
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 深中心,激光退火,点缺陷,能级,深能级,热退火,P-Si,图形表,示方法,物理行为,氢等离子体,DLTS,缺陷态,陷阱,新能级,光退火,时基发生器,激光辐照,空穴发射,激光处理,偏置脉冲,辐照,俘获截...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]卢励吾,许振嘉,蔡田海,阮圣央.硅中激光退火点缺陷的钝化/消除[J]半导体学报.1983,(05)
[2]阮圣央,张砚华,郑秉茹,杨锡权,吉秀江.深中心行为图形表示方法的探讨[J]半导体学报.1983,(06)
[3]阮圣央,周洁,张砚华,吉秀江,郑秉茹,李树英,杨锡权,谭飞.Si:Pd深能级的研究[J]半导体学报.1984,(03)
[4]阮圣央,吉秀江.采用PSD率窗的DDLTS系统[J]电子学报.1987,(04)
[5]周洁,阮圣央,郝灴,葛惟锟,吉秀江,李树英.关于N-Si:Pd中能级E(0.37)和E(0.62)的识别[J]半导体学报.1987,(03)
[6]周洁,阮圣央,郝灴,葛惟锟,吉秀江,李树英.Pd在P-Si中的物理行为[J]半导体学报.1987,(03)
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