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[1]王保柱;王晓亮;王晓燕;王新华;郭伦春;肖红领;王军喜;刘宏新;曾一平;李晋闽;.蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长[J]半导体学报.2006,(08)
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[2]胡国新,王晓亮,孙殿照,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料[J]半导体学报.2003,(06)
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[3]王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,孙殿照,曾一平,李晋闽,孔梅影,林兰英,刘新宇,刘键,钱鹤.MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT[J]固体电子学研究与进展.2003,(04)
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[4]王晓亮,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,刘宏新,孙殿照,曾一平,钱鹤,李晋闽,孔梅影,林兰英.RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)[J]半导体学报.2004,(02)
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[5]王军喜,王晓亮,刘宏新,胡国新,李建平,李晋闽,曾一平.Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长[J]半导体学报.2004,(06)
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[6]肖红领,王晓亮,张南红,王军喜,刘宏新,韩勤,曾一平,李晋闽.蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RFMBE生长[J]半导体学报.2005,(06)
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[7]刘喆;王军喜;李晋闽;刘宏新;王启元;王俊;张南红;肖红领;王晓亮;曾一平;.在复合衬底γ-Al_2O_3/Si(001)上生长GaN[J]半导体学报.2005,(12)
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[8]孙殿照,王晓亮,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,侯洵,林兰英.GSMBE生长的高质量氮化镓材料[J]半导体学报.2000,(07)
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[9]孙殿照,刘宏新,王军喜,王晓亮,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.NH_3-MBE生长极化场二维电子气材料[J]功能材料与器件学报.2000,(04)
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[10]孙殿照,胡国新,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料[J]半导体学报.2001,(11)
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