刘国利
【姓名】 刘国利
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 质子注入,单模激光器,DFB激光器,可调谐,调制带宽,寄生电容,激光器,电吸收调制,DBR激光器,选区外延,InGaAsP,光电子,选择区域,LPMOVPE,单片集成,电吸收调制器,选择区域生长,脊型...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]刘国利,张佰君,朱洪亮,张静媛,汪孝杰,王圩.质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器[J]半导体光电.2000,(04)
[2]张静媛,刘国利,汪孝杰,张佰君,陈娓兮,朱洪亮,王圩.可调谐DBR激光器、电吸收调制DFB激光器用高质量InGaAsP-MQW材料的选择区域生长[J]量子电子学报.2000,(05)
[3]周帆,刘国利,张佰君,张静媛,陈娓兮,汪孝杰,朱洪亮,王圩.可调谐单模激光器的制作[J]量子电子学报.2000,(05)
[4]张静媛,王圩,朱洪亮,汪孝杰,刘国利.Bragg光栅在光子集成器件中的应用及研制[J]高技术通讯.2000,(07)
[5]刘国利,王圩,张佰君,许国阳,陈娓兮,叶小玲,张静媛,汪孝杰,朱洪亮.选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料[J]半导体学报.2001,(05)
[6]刘国利,王圩,汪孝杰,张佰君,陈娓兮,张静媛,朱洪亮.低波长漂移的电吸收调制DFB激光器[J]半导体学报.2001,(05)
[7]刘国利,王圩,朱洪亮,张静媛,周帆,汪孝杰,胡小华.强增益耦合 DFB激光器单片集成自对准模式变换器(英文)[J]半导体学报.2001,(07)
[8]孙洋,王圩,陈娓兮,刘国利,周帆,朱洪亮.高消光比偏振不灵敏电吸收调制器(英文)[J]半导体学报.2001,(11)
[9]刘国利,王圩,许国阳,陈娓兮,张佰君,周帆,张静媛,汪孝杰,朱洪亮.选区外延制作单片集成单脊条形电吸收调制DFB激光器[J]中国激光.2001,(04)
[10]刘国利,王圩,张静媛,陈娓兮,汪孝杰,朱洪亮.单脊条形可调谐电吸收调制DFB激光器[J]中国激光.2001,(12)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]张静嫒;刘国利;朱洪亮;汪孝杰;王圩;周帆;马朝华;李秉承;田慧良;边静;舒惠云;.单片集成四波长DFB激光器列阵研究[A].第四届全国光学前沿问题研讨会论文摘要集.1999-11-01
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