梁骏吾
【姓名】 梁骏吾
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】 SiC、GaN材料和相关器件研究
【发表文献关键词】 3C-SiC,常压化学气相生长(APCVD),双晶多功能四圆衍射,GaN,极性,表面起伏,晶面倾斜,孪晶,h-GaN,六角相,c-GaN,APCVD,四圆衍射,微孪晶,极图,横向外延生长,立方相,外延...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]邓懿;赵德刚;吴亮亮;刘宗顺;朱建军;江德生;张书明;梁骏吾;.器件参数对GaN基n~+-GaN/i-Al_x Ga_(1-x)N/n~+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响[J]物理学报.2010,(12)
[2]李德尧;黄永箴;张书明;种明;叶晓军;朱建军;赵德刚;陈良惠;杨辉;梁骏吾;.脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响(英文)[J]半导体学报.2006,(03)
[3]梁骏吾;.光伏产业面临多晶硅瓶颈及对策[J]科技导报.2006,(06)
[4]李德尧;张书明;王建峰;陈俊;陈良惠;种明;朱建军;赵德刚;刘宗顺;杨辉;梁骏吾;.蓝紫光InGaN多量子阱激光器[J]中国科学(E辑:技术科学).2007,(03)
[5]王莉莉;张书明;杨辉;梁骏吾;.MOCVD生长的GaN:Mg外延膜的光电性质(英文)[J]半导体学报.2008,(01)
[6]马志芳;王玉田;江德生;赵德刚;张书明;朱建军;刘宗顺;孙宝娟;段瑞飞;杨辉;梁骏吾;.MOCVD生长的GaN薄膜中缺陷团引起的X射线漫散射研究(英文)[J]半导体学报.2008,(07)
[7]闻瑞梅,梁骏吾.降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型[J]电子学报.2003,(11)
[8]冯淦,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚,王玉田,杨辉,梁骏吾.GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量[J]中国科学G辑:物理学、力学、天文学.2003,(02)
[9]梁骏吾;郑敏政;袁桐;闻瑞梅;.半导体硅片生产形势的分析[J]中国集成电路.2003,(01)
[10]张宝顺,伍墨,陈俊,沈晓明,冯淦,刘建平,史永生,段丽宏,朱建军,杨辉,梁骏吾.Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长[J]半导体学报.2004,(04)
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[1]梁骏吾;.薄膜太阳能电池的研究进展(英文)[A].多晶硅及太阳能电池技术发展研讨会论文集.2011-03-02
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