李建中
【姓名】 李建中
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 细结构,硅化钽,超精,气敏特性,反应离子刻蚀,微型传感器,侧墙,超微粒,气敏器件,膜表面,敏感特性,腐蚀条件,工作温度,平面型,分析结果,多层材料,反应离子腐蚀,硅平面工艺,混合气,温度检测器,淀积物...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]李建中;陈纪瑛;赵长威;.用反应离子腐蚀技术制作DFB激光器中的光栅[J]高技术通讯.1991,(11)
[2]李秉臣,彭晔,李建中.Au-Pt-Ni/p-InP新的低欧姆接触电极[J]科学通报.1998,(20)
[3]李建中,I.Adesida,E.D.Wolf.硅及硅化钽超精细结构的刻蚀[J]半导体学报.1985,(05)
[4]李秉臣,李建中.SnO_2薄膜和气敏特性[J]真空科学与技术.1987,(04)
[5]李秉臣;毕可奎;李建中;楼章和;李国花;.平面型SnO_2微型传感器[J]化学传感器.1987,(02)
[6]李建中.氩离子在反应离子腐蚀Ⅲ-Ⅴ族材料中的作用[J]半导体学报.1990,(12)
[7]程美乔,傅绍云,李建中.用SF_6-N_2混合气的反应离子刻蚀制作WSi_x微米结构[J]半导体学报.1990,(05)
[8]李建中,陈纪瑛.采用CH_4/H_2混合气对InP进行反应离子腐蚀的研究[J]半导体学报.1991,(04)
[9]庄婉如,杨培生,陈纪瑛,李建中.GaAs/GaAlAs反应离子刻蚀腔面激光器[J]半导体学报.1991,(08)
[10]李建中.半导体器件工艺中干法刻蚀技术的进展[J]微细加工技术.1993,(03)
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