李国花
【姓名】 李国花
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 敏感膜,ISFET,ISFET传感器,氮化硅,硅膜,LPCVD,氮化,晶体管稳定性,多孔硅,改善技术,敏感特性,离子敏场,不稳定原因,染色腐蚀,氢含量,高氢,敏度,膜表面,硅表面,配位结构,氨基团,化...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]唐海马;郑中山;张恩霞;于芳;李宁;王宁娟;李国花;马红芝;.高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响[J]物理学报.2011,(05)
[2]郑中山;刘忠立;李宁;李国花;张恩霞;.Influence of nitrogen dose on the charge density of nitrogen-implanted buried oxide in SOI wafers[J]半导体学报.2010,(02)
[3]王宁娟;刘忠立;李宁;于芳;李国花;.不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究[J]半导体学报.2007,(05)
[4]郑中山;张恩霞;刘忠立;张正选;李宁;李国花;.SIMOX SOI埋氧注氮工艺对埋氧中固定正电荷密度的影响[J]物理学报.2007,(09)
[5]王宁娟;刘忠立;李宁;张国强;于芳;郑中山;李国花;.注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能(英文)[J]功能材料与器件学报.2007,(05)
[6]郑中山,刘忠立,张国强,李宁,李国花,马红芝,张恩霞,张正选,王曦.SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性(英文)[J]半导体学报.2005,(05)
[7]王姝睿,刘忠立,李国花,于芳,刘焕章.高压 Ti/ 6H- SiC肖特基势垒二极管(英文)[J]半导体学报.2001,(08)
[8]高文钰,刘忠立,和致经,于芳,梁桂荣,李国花.硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响[J]半导体学报.1999,(05)
[9]聂纪平,刘忠立,和致经,于芳,李国花,张永刚.辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应[J]半导体学报.1999,(08)
[10]高文钰,刘忠立,梁秀琴,于芳,聂纪平,李国花.硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化[J]电子学报.1999,(08)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]王宁娟;刘忠立;李宁;刘芳;李国花;.两种改进边缘效应的全耗尽MOSFET器件的制备及对辐射的影响[A].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009-07-01
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