江度
【姓名】 江度
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 蓝宝石衬底,腐蚀速率,蓝宝石,GaN生长,化学抛光,腐蚀液,损伤层,腐蚀时间,半导,腐蚀坑,半峰宽,体材料,科学实验室,腐蚀速度,X射线,外延生长,腐蚀实验,表面形貌,混合酸,GaN外延层,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]王晓晖,刘祥林,江度,陆大成.用于GaN生长的蓝宝石衬底化学抛光研究[J]半导体学报.1997,(11)
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