何晖
【姓名】 何晖
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 掺In,GaAs单晶,缺陷区,晶界,HREM,位错,生长界面,图版,单晶,胞状,晶向,局部位错,GaAs,面样,密集区,衬度,位错间距,高压单晶炉,纵剖面,胞状生长,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]何晖,褚一鸣,林兰英.LEC掺In-GaAs单晶中的一种新型缺陷[J]半导体学报.1986,(04)
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