何广平
【姓名】 何广平
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;自动化技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 新施主,霍耳系数,热处理,热施主,电阻率,预热处理,测量系统,半自动,生成率,施主态,间热处理,间隙氧,单晶,p型,氧浓度,CZ硅,温测,中国科学院,碳含量,n型,杂质氧,热处理时间,霍耳电压,霍耳迁...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]许振嘉,孙伯康,王万年,张泽华,刘江夏,何广平.热处理硅中的新施主(Ⅰ)[J]电子学报.1981,(06)
[2]许振嘉,孙伯康,王万年,张泽华,刘江夏,何广平.热处理硅中的新施主(Ⅱ)[J]电子学报.1983,(02)
[3]马金泉,王万年,何广平.电阻率和霍耳系数的半自动测量系统[J]物理.1984,(05)
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