葛玉如
【姓名】 葛玉如
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 PN结,靶层,氧化铅,晶粒度,激光器,V-I特性,形貌,偏位,有源层,InGaAsP,InGaAsp,电子束,扫描电镜,样管,缓冲层,靶面,小格,x射线,结晶群,半高宽,InGaAsP/InP,少数载...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】
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[1]葛玉如,高淑芬,王莉,汪孝杰,张盛廉,朱龙德.应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响[J]半导体学报.1982,(02)
[2]葛玉如;.场发射扫描电镜在半导体中的若干应用[J]电子显微学报.1982,(02)
[3]陆颖,王朝果,葛玉如.氧化铅靶层形貌、取向和晶粒度的观测[J]半导体学报.1984,(02)
[4]葛玉如;庄蔚华;李成基;刘淑彬;徐俊英;.半导体中瞬态阴极荧光的研究[J]电子显微学报.1985,(03)
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