高凤升
【姓名】 高凤升
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InAs,光电子器件,晶格常数,减薄技术,选择阳极氧化,四元混晶,电负性差,半导体工艺,阳极氧化法,Ⅱ-Ⅵ族,薄法,混晶,差法,电负性,混溶隙,二元化合物,非均匀,Gasb,外延层,电子迁移率,晶格匹...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]龚秀英;高凤升;.Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的禁带宽度与元素电负性差的关系[J]上海金属.有色分册.1981,(01)
[2]龚秀英,高凤升,王占国,韩文蔷.LPE Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InP和Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y/InAs的生长及其估价[J]中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学).1989,(07)
[3]高凤升,龚秀英,葛永才.一种新的非均匀减薄法——选择阳极氧化法[J]电子科学学刊.1991,(02)
[4]高凤升,龚秀英.Ⅱ-Ⅵ族三元和四元混晶半导体晶格常数的计算[J]稀有金属.1993,(03)
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