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[1]张泽洪,赵德刚,孙元平,冯志宏,沈晓明,张宝顺,冯淦,郑新和,杨辉.立方相GaN的持续光电导[J]半导体学报.2003,(01)
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[2]张泽洪,孙元平,赵德刚,段俐宏,王俊,沈晓明,冯淦,冯志宏,杨辉.Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为[J]半导体学报.2003,(03)
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[3]王俊,赵德刚,刘宗顺,冯淦,朱建军,沈晓民,张宝顺,杨辉.GaN基MSM结构紫外光探测器[J]中国科学G辑:物理学、力学、天文学.2003,(01)
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[4]冯淦,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚,王玉田,杨辉,梁骏吾.GaN外延膜厚度的X射线双晶衍射测量[J]中国科学G辑:物理学、力学、天文学.2003,(02)
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[5]张宝顺,伍墨,陈俊,沈晓明,冯淦,刘建平,史永生,段丽宏,朱建军,杨辉,梁骏吾.Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长[J]半导体学报.2004,(04)
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[6]陈俊,张书明,张宝顺,朱建军,冯淦,段俐宏,王玉田,杨辉,郑文琛.缓冲层生长压力对MOCVD GaN性能的影响[J]中国科学E辑:技术科学.2004,(01)
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[7]沈晓明,冯志宏,冯淦,付羿,张宝顺,孙元平,张泽洪,杨辉.GaN/GaAs(001)外延薄膜的湿法腐蚀特性(英文)[J]半导体学报.2002,(07)
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[8]沈晓明,张秀兰,孙元平,赵德刚,冯淦,张宝顺,张泽洪,冯志宏,杨辉.GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较[J]半导体学报.2002,(08)
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[9]沈晓明,付羿,冯淦,张宝顺,冯志宏,杨辉.用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度[J]半导体学报.2002,(10)
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[10]冯淦,郑新和,王玉田,杨辉,梁骏吾,郑文莉,贾全杰.横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究[J]核技术.2002,(10)
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