范楷
【姓名】 范楷
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SIMOX,nMOSFET,氮注入,总剂量辐射,电子迁移率,阈值电压,注氮工艺,MOSFET,埋氧层,部分耗尽,耗尽型,电离辐射效应,电特性,上海微系统与信息技术研究所,漏源击穿电压,SIMON,阈电...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]郑中山,刘忠立,张国强,李宁,范楷,张恩霞,易万兵,陈猛,王曦.埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响[J]物理学报.2005,(01)
[2]李宁,张国强,刘忠立,范楷,郑中山,林青,张正选,林成鲁.部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应[J]半导体学报.2005,(02)
[3]张国强,刘忠立,李宁,范楷,郑中山,张恩霞,易万兵,陈猛,王曦.注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响[J]半导体学报.2005,(04)
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