樊爱香
【姓名】 樊爱香
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InGaAs,SAGM,高增益,InGaAs/InP,雪崩光电二极管,暗电流,InGaAsP,外延片,响应度,雪崩,器件结构,生长参数,InGaAsp,外延层,吸收区,中国科学院,Pn结,InP材料,...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/2 0 0 0 2 125
中国期刊全文数据库    共找到2篇
[1]王树堂,曾靖,李锋,胡春阳,夏彩虹,孙捷,樊爱香.低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管[J]半导体学报.1990,(12)
[2]李锋,王树堂,曾靖,樊爱香,夏彩虹,孙捷,胡春阳,白金花,陈心敏.InGaAs/InGaAsP/InP长波长雪崩光电二极管研究[J]红外与毫米波学报.1991,(01)
更多