|
[1]陈长勇,陈维德,王永谦,宋淑芳,许振嘉.掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er~(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响[J]物理学报.2003,(03)
|
|
[2]宋淑芳,周生强,陈维德,朱建军,陈长勇,许振嘉.掺铒GaN薄膜的背散射沟道分析和光致发光研究[J]物理学报.2003,(10)
|
|
[3]王永谦,陈长勇,陈维德,杨富华,刁宏伟,许振嘉,张世斌,孔光临,廖显伯.a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究[J]物理学报.2001,(12)
|
|
[4]王永谦,陈维德,陈长勇,刁宏伟,张世斌,徐艳月,孔光临,廖显伯.快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响[J]物理学报.2002,(07)
|
|
[5]张世斌,廖显伯,安龙,杨富华,孔光临,王永谦,徐艳月,陈长勇,刁宏伟.非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究[J]物理学报.2002,(08)
|
|
[6]陈维德,陈长勇,宋淑芳,许振嘉.掺稀土半导体光电特性和应用[J]中国稀土学报.2002,(06)
|
|
[7]宋淑芳,陈维德,陈长勇,许振嘉.掺铒GaN薄膜光致发光的研究[J]中国稀土学报.2002,(06)
|
|
[8]陈长勇,陈维德,王永谦,宋淑芳,许振嘉,郭少令.注铒a-SiO_x∶H中Er~(3+)发光与薄膜微观结构的关系[J]半导体学报.2002,(09)
|
|
[9]王永谦,廖显伯,刁宏伟,陈长勇,张世斌,徐艳月,陈维德,孔光临,程文超,李国华.氢化非晶硅氧薄膜微结构[J]中国科学(A辑).2002,(06)
|
|
更多
|