边历峰
【姓名】 边历峰
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;
【研究方向】 半导体光学性质
【发表文献关键词】 1.55μm波长,光调制反射,InAs自组织量子点,循环生长,量子点,量子阱,GaAsSbGaAs,Ⅱ类跃迁,GaInNAs,光致发光,分子束外延,选择激发,GaAsSb/GaInAs,氮化物,GaA...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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[1]罗向东,边历峰,徐仲英,罗海林,王玉琦,王建农,葛惟琨.GaAs_(1-x)Sb_x/GaAs单量子阱的光学特性研究[J]物理学报.2003,(07)
[2]边历峰,江德生,陆书龙.快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究[J]稀有金属.2004,(03)
[3]屈玉华,江德生,边历峰,孙征,牛智川,徐晓华.GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光[J]发光学报.2005,(04)
[4]澜清,周大勇,孔云川,边历峰,苗振华,江德生,牛智川,封松林.1.55μm波长发光的自组织InAs量子点生长[J]人工晶体学报.2002,(05)
[5]梁晓甘,江德生,边历峰,潘钟,李联合,吴荣汉.GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱[J]半导体学报.2002,(12)
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