鲍庆成
【姓名】 鲍庆成
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 四元混晶,MOS方法,深能级中心,本征,液相外延生长,陷阱,n型,电子陷阱,InGaAsP,势阱,复合膜结构,导带,MOS结构,晶膜,能带弯曲,发射过程,陷阱浓度,内能级,DLTS,占据态,
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 中国
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[1]鲍庆成,王启明,彭怀德,朱龙德,高季林.用MOS方法研究四元混晶In_(0.75)Ga_(0.25)As_(0.58)P_(0.42)中的深能级中心[J]物理学报.1983,(09)
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