白玉珂
【姓名】 白玉珂
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 层错,微缺陷,GaAs晶体,单晶,本征型,GaAs单晶,透射电镜研究,位错环,暗场像,抛光晶片,衬度,损伤层,亚表面,亚表面损伤层,对重,明场像,图版,回摆曲线,GaAs,暗场,位错,双层错,小角晶界...
【工作单位】 中国科学院半导体研究所
【曾工作单位】 中国科学院半导体研究所;
【所在地域】 北京
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中国期刊全文数据库    共找到6篇
[1]郑红军,卜俊鹏,何宏家,吴让元,曹福年,白玉珂,惠峰.GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析[J]固体电子学研究与进展.1999,(01)
[2]曹福年,卜俊鹏,吴让元,郑红军,惠峰,白玉珂,刘明焦,何宏家.X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度[J]半导体学报.1998,(08)
[3]范缇文,何宏家,白玉珂,费雪英.掺Te-GaAs单晶中微缺陷的透射电镜研究[J]半导体学报.1980,(04)
[4]何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲.掺Te-GaAs单晶微缺陷微沉淀的研究[J]半导体学报.1981,(01)
[5]褚一鸣,何宏家,曹福年,白玉珂,费雪英,王凤莲.极性对重掺GaAs晶体中小晶面效应的影响[J]半导体学报.1981,(02)
[6]何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲,褚一鸣.原生掺Si砷化镓单晶微缺陷的研究[J]半导体学报.1983,(06)
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中国重要会议全文数据库    共找到2篇
[1]刘明焦;曹福年;白玉珂;惠峰;吴让元;卜俊鹏;何宏家;.SI—GaAs中砷沉淀与微观均匀性的关系[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
[2]卜俊鹏;曹福年;白玉珂;吴让元;惠峰;刘明焦;何宏家;.SI-GaAs~(29)Si~+离子注入层性能研究[A].首届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1992-10-26
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