学者知网节

【姓名】	刘渝珍
【职称】	教授;
【研究领域】	物理学;无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】	纳米材料的研究
【发表文献关键词】	快速退火(RTA),LPCVD,氮化硅薄膜,硅薄膜,光致发光,纳米硅镶嵌结构,氮化,硅镶嵌的SiNx膜,内应力,纳米硅,SiN_x薄膜,沉积温度,可见荧光,微结构,富硅氮化硅,低压化学气相沉积,缺陷态...
【工作单位】	中国科学院研究生院
【曾工作单位】	中国科学院研究生院;
【所在地域】	北京

中国期刊全文数据库 共找到9篇

[1]田士兵;刘渝珍;张茂林;汪丽华;谢亚宁;王昌燧;.钧瓷铜红釉呈色机制的初步研究[J]核技术.2009,(06)

[2]高魏梦佳;刘渝珍;储旺盛;吴自玉;王昌燧;.黑漆古铜镜表面层的X射线近边吸收谱分析[J]核技术.2009,(09)

[3]张侠;刘渝珍;康朝阳;徐彭寿;王家鸥;奎热西;.退火温度及退火气氛对ZnO薄膜的结构及发光性能的影响(英文)[J]发光学报.2010,(05)

[4]陈超;刘渝珍;董立军;陈大鹏;王小波;.C~+注入a-SiN_x∶H的原子化学键合的研究[J]半导体学报.2007,(03)

[5]陈超;刘渝珍;张国斌;徐彭寿;符义兵;董立军;陈大鹏;.C~+注入a-SiN_x∶H薄膜的微结构及光发射的研究[J]发光学报.2007,(04)

[6]刘渝珍,石万全,赵玲莉,孙宝银,叶甜春.RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响[J]发光学报.2003,(01)

[7]董立军,刘渝珍,陈大鹏,王小波.富硅氮化硅薄膜的荧光发射[J]发光学报.2005,(03)

[8]刘渝珍,陈大鹏,王小波,董立军.沉积温度对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响[J]半导体学报.2005,(08)

[9]王小波,刘渝珍,奎热西,董立军,陈大鹏.SiH_2Cl_2-NH_3配比对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响[J]发光学报.2005,(04)

中国重要会议全文数据库 共找到1篇

[1]刘渝珍;陈超;徐彭寿;张国斌;董立军;陈大鹏;.纳米硅对a-SiN_x：H薄膜荧光发射的影响[A].TFC'07全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集.2007-08-01

今年新增/文献篇数	核心期刊论文数	基金论文数	第一作者篇数	总被引频次	总下载频次
0/10	9	8	3	45	1882