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周一峰
【姓名】
周一峰
【职称】
【研究领域】
无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】
硅化物,金属-半导体,芯能级,界面反应,混相,Si界面,态密度,3d过渡金属,Cr原子,覆盖度,铬硅,拖尾,结合能变化,突变界面,离化截面,亚壳层,原子级清洁,电子结构,阻挡层,金属膜,
【工作单位】
中国科学技术大学
【曾工作单位】
中国科学技术大学;
【所在地域】
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共找到1篇
[1]丁孙安,许振嘉,李宝骐,周一峰.
铬硅化物的形成及其界面反应
[J]半导体学报.1990,(12)
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