潘海滨
【姓名】 潘海滨
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 能带偏离,金属夹层,光束线,界面,同步辐射,软件设计,半导体异质结,铜锂合金,光电子能谱,光栅,团簇,GaAs,电子态密度,Ge/GaAs,表面原子结构,价带,电子束蒸发,表面电子结构,光子能量,实验...
【工作单位】 中国科学技术大学
【曾工作单位】 中国科学技术大学;
【所在地域】 合肥
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[2]朱达川;孙燕;宋明昭;涂铭旌;潘海滨;.镁对铜碲合金电性能的影响[J]稀有金属材料与工程.2007,(S3)
[3]朱达川,宋之敏,陈家钊,涂铭旌,潘海滨.锂对工业纯铜导电性能的作用效应[J]西安交通大学学报.2004,(01)
[4]朱达川,宋明昭,陈家钊,涂铭旌,潘海滨.Electrical conductivity of Cu-Li alloys[J]Journal of Central South University of Technology(English Edition).2004,(03)
[5]李拥华,徐彭寿,潘海滨,徐法强.GaN(110)表面原子及电子结构的第一性原理研究[J]中国科学技术大学学报.2004,(05)
[6]王科范,盛斌,刘金锋,徐彭寿,潘海滨,韦世强.SiO_2/Si(111)表面Ge量子点的生长研究[J]真空科学与技术学报.2005,(05)
[7]李拥华,徐彭寿,潘海滨,徐法强,谢长坤.GaN(100)表面结构的第一性原理计算[J]物理学报.2005,(01)
[8]王科范,刘金锋,邹崇文,徐彭寿,潘海滨,张西庚,王文君.一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究[J]真空科学与技术学报.2005,(01)
[9]孙玉明,徐彭寿,徐法强,陆尔东,张发培,潘海滨,许保宗,张新夷.Gd/GaAs(100)的界面形成和电子结构[J]真空科学与技术.1999,(03)
[10]徐彭寿,徐世红,潘海滨,陆尔东,朱警生,刘先明,麻茂生.金属夹层对Ge/GaAs(100)能带偏离影响的研究[J]真空科学与技术.1996,(02)
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