刘金龙
【姓名】 刘金龙
【职称】
【研究领域】 电力工业;无线电电子学;动力工程;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SiO_2薄膜,中国科技大学,研究生院,SiO2薄膜,硅团簇,缺陷发光,激光的激发,热氧化,配位硅,HOMO-LUMO,退火温度,光致发光强度,SiOx,快速热退火,PL谱,红移现象,变化机制,氧空位...
【工作单位】 中国科学技术大学
【曾工作单位】 中国科学技术大学;
【所在地域】 北京
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[3]张忠政;程晓舫;刘金龙;.太阳电池负载的工作区间[J]太阳能学报.2015,(01)
[4]刘世祥,刘渝珍,伍勇,石万全,陈志坚,韩一琴,刘金龙,张通和,姚德成.Si~+注入SiO_2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响[J]半导体学报.1999,(03)
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