傅竹西
【姓名】 傅竹西
【职称】 教授;
【研究领域】 物理学;工业通用技术及设备;无线电电子学;
【研究方向】 半导体光电子材料和器件研究
【发表文献关键词】 低压MOCVD,异质外延,SiC薄膜,SiC/Si,ZnO薄膜,俄歇谱,氧化锌薄膜,光致发光,结构特性,O薄膜,发光性能,拉曼光谱,硅基片,氧化锌异质结,C-V特性,I-V特性,界面态,过渡层,LP-...
【工作单位】 中国科学技术大学
【曾工作单位】 中国科学技术大学;
【所在地域】 合肥
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中国期刊全文数据库    共找到68篇
[1]苏剑峰;肖宏宇;牛强;唐春娟;张永胜;傅竹西;.衬底取向对Al掺杂3C-SiC薄膜微结构的影响（英文）[J]硅酸盐学报.2015,(07)
[2]陈小庆;孙利杰;傅竹西;.Sb掺杂ZnO薄膜的缺陷和光学性质研究[J]中国科学技术大学学报.2011,(01)
[3]邬小鹏;傅竹西;.MgZnO薄膜的制备及其光电特性[J]功能材料.2011,(09)
[4]张伟英;刘振中;刘照军;梁会琴;傅竹西;.退火处理对ZnO/Si异质结光电转换特性的影响[J]材料导报.2010,(04)
[5]钟泽;孙利杰;徐小秋;陈小庆;邬小鹏;傅竹西;.氮气氛中高温退火对ZnO薄膜发光性质的影响[J]发光学报.2010,(03)
[6]陈小庆;孙利杰;邬小鹏;钟泽;傅竹西;.MOCVD制备SiC:Al薄膜的导电类型调控研究[J]功能材料.2010,(07)
[7]邬小鹏;陈小庆;孙利杰;毛顺;傅竹西;.Photoelectric conversion characteristics of ZnO/SiC/Si heterojunctions[J]半导体学报.2010,(10)
[8]张伟英;刘振中;赵建果;傅竹西;.退火温度对ZnO/Si异质结光电转换特性的影响[J]材料导报.2010,(16)
[9]谢学武;廖源;张五堂;余庆选;傅竹西;.退火过程对c轴择优取向的ZnO薄膜光学性质的影响[J]量子电子学报.2010,(02)
[10]郭俊福;谢家纯;段理;何广宏;林碧霞;傅竹西;.Au/n-ZnO/p-Si结构的紫外增强型光电三极管的研制(英文)[J]半导体学报.2006,(01)
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中国重要会议全文数据库    共找到3篇
[1]孟广耀;彭定坤;钟泽;傅竹西;.MOCVD与无机功能材料-研究实践30年[A].第十一届全国MOCVD学术会议论文集.2010-01-13
[2]邬小鹏;孙利杰;钟泽;徐小秋;林碧霞;傅竹西;.射频磁控溅射制备Mg_xZn_(1-x)O薄膜[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
[3]钟泽;苏剑锋;舒姮;陈小庆;傅竹西;.MOCVD低温外延ZnO/Si薄膜及其性质的研究[A].第十五届全国化合物半导体材料，微波器件和光电器件学术会议论文集.2008-11-30
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承担国家科研项目    共找到3个
[1]傅竹西;.氧化锌异质结构电致发光及缺陷和杂质的行为研究[A].中国科学技术大学;.项目经费 100万元.2005-10-30.资助文献数 17 篇
[2]傅竹西;.Si基片SiC过渡层的ZnO异质外延及其光电特性[A].中国科学技术大学;.项目经费 28万元.2004-03-31.资助文献数 18 篇
[3]傅竹西;.氧化锌薄膜p-n结及其光电子特性研究[A].中国科学技术大学;.项目经费 6万元.2001-03-31.资助文献数 2 篇
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