丁成玉
【姓名】 丁成玉
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 SiCl_4,有序生长,分子自由路程,硅外延,选择性生长,等离子体,反应活化能,低温淀积,低压化学气相淀积,多晶硅,LPCVD,技术简介,反应管,淀积速率,硅薄膜,晶向,辉光放电,活化能,活化分子,硅...
【工作单位】 中国航天科技集团第七七一研究所
【曾工作单位】 中国航天科技集团第七七一研究所;
【所在地域】
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[1]丁成玉,段素芳.SiCl_4等离子体制备多硅晶[J]半导体技术.1979,(03)
[2]丁成玉,段素芳.等离子体低温淀积硅的有序生长[J]半导体技术.1979,(04)
[3]丁成玉,段素芬.低压硅外延的选择性生长现象[J]半导体技术.1980,(01)
[4]丁成玉.低压化学气相淀积(LPCVD)技术简介[J]半导体技术.1980,(03)
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