方仁昌
【姓名】 方仁昌
【职称】 研究员;
【研究领域】 工业通用技术及设备;无线电电子学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 TiN薄膜,TIN薄膜,TiN,真空间隙放电,离子束辅助沉积效果,离子束增强沉积,阴极表面电场,离子轰击,离子束辅助沉积,微观结构,增强沉积,辅助沉积,双离子束,离子束,力学性能,真空间隙,高压电极,...
【工作单位】 中国工程物理研究院应用电子学研究所
【曾工作单位】 中国工程物理研究院应用电子学研究所;
【所在地域】 成都
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中国期刊全文数据库    共找到3篇
[1]方仁昌,向伟.高压电极表面改性及其效果研究[J]原子能科学技术.1999,(04)
[2]向伟,方仁昌,李文治.双离子束辅助沉积TiN薄膜的微观结构及力学性能[J]兵器材料科学与工程.1999,(06)
[3]向伟,赖祖武,罗四维,方仁昌,李文治.离子束增强沉积TiN薄膜的研究[J]真空科学与技术.1998,(04)
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[1]方仁昌;罗四维;.电极表面TiB_2薄膜改性后的真空绝缘效果[A].中国电子学会真空电子学分会第十二届学术年会论文集.1999-09-01
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