阮进科
【姓名】 阮进科
【职称】
【研究领域】 物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氟铍酸甘氨酸晶体,TGS晶体,ATGS,热释电晶体,消旋,丙氨酸,TGFB,晶体生长,晶体,晶片,晶向,籽晶,热释,热释电,电滞回线,电畴,红外探测器,畴界,电极性,制作器,多畴,电滞,单畴,类晶体,...
【工作单位】 中国兵器工业集团昆明物理研究所
【曾工作单位】 中国兵器工业集团昆明物理研究所;
【所在地域】 昆明
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[1]邵式平,阮进科,张美华,王晓薇.掺杂消旋丙氨酸的TGS晶体生长和性能[J]人工晶体.1985,(Z1)
[2]朱春才;阮进科;黄罗玉;.红外测温仪的一般原理及用途[J]红外技术.1987,(01)
[3]朱春才;阮进科;黄罗玉;.如何选择和使用红外测温仪[J]红外技术.1987,(05)
[4]杨宗璐,阮进科,鲍慈光,施南华,王文亮,陈长林.氟铍酸甘氨酸晶体生长[J]人工晶体学报.1992,(02)
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