李玉德
【姓名】 李玉德
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 固态再结晶,热浴淬火,碲镉汞,红外材料,组分均匀性,高均匀性,晶体生长,测试条件,HgCdTe,晶锭,淬火介质,淬火,示意图,熔体,溶剂法,工艺研究,高温退火,组份分凝,技术工艺,炉温分布,红外焦平面...
【工作单位】 中国兵器工业集团昆明物理研究所
【曾工作单位】 中国兵器工业集团昆明物理研究所;
【所在地域】 云南昆明
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[1]李富培,李玉德,郭云成,庄维莎,刘新进.碲溶剂法生长高均匀性Hg_(1-x)Cd_xTe体晶材料的工艺研究[J]红外技术.2005,(05)
[2]李全葆,王跃,韩庆林,李玉德,宋炳文.HgCdTe固态再结晶技术工艺改进[J]红外与激光工程.2000,(03)
[3]李全葆,王跃,韩庆林,李玉德,宋炳文.HgCdTe固态再结晶技术工艺的改进[J]激光与红外.2000,(01)
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