常剑
【姓名】 常剑
【职称】
【研究领域】 自动化技术;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】 气敏材料的研究工作
【发表文献关键词】 三氧化二铟,半导体金属氧化物,气敏元件,低功耗,酒敏材料,气敏机理,C2H5OH,液化石油气,气敏材料,纳米In2O3,元件,In2O3,In_2O_3,气敏,金属氧化物半导体,气敏性能,酒敏性,乙醇...
【工作单位】 郑州大学
【曾工作单位】 郑州大学;
【所在地域】 河南郑州
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[1]詹自力,蒋登高,宋文慧,常剑.低功耗In_2O_3基LPG气敏元件[J]传感器技术.2003,(05)
[2]常剑,蒋登高,詹自力,宋文会.半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述[J]传感器世界.2003,(08)
[3]詹自力,蒋登高,常剑,钟可创,宋文慧.纳米In_2O_3的微乳液合成及酒敏性能[J]稀有金属材料与工程.2004,(05)
[4]常剑,詹自力,蒋登高.金属氧化物半导体酒敏材料研究现状[J]电子元件与材料.2004,(05)
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