赵浙
【姓名】 赵浙
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MOCVD,GaN薄膜,p型掺杂,综述,自补偿模型,共掺杂工艺,多量子阱,空穴浓度,硅衬底,最新进展,GaN,LED,薄膜开裂,费米能级,GaN外延生长,形成能,外延生长,发光二极管,研究进展,溶解度...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]朱丽萍,叶志镇,赵炳辉,倪贤锋,赵浙.立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长与器件制备[J]真空科学与技术学报.2004,(06)
[2]赵浙;叶志镇;.MOCVD生长GaN材料p型掺杂最新进展[J]材料导报.2004,(08)
[3]洪炜;朱丽萍;叶志镇;唐海平;倪贤锋;赵浙;.硅衬底GaN基LED研究进展[J]材料导报.2005,(01)
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