倪贤锋
【姓名】 倪贤锋
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;
【研究方向】
【发表文献关键词】 位错,MOCVD,非辐射复合中心,GaN薄膜,多量子阱,硅衬底,GaN,LED,薄膜开裂,漏电流,GaN外延生长,位错密度,氮化镓,外延生长,发光二极管,研究进展,载流,峰值波长,缓冲层,晶体质量,超...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]倪贤锋,叶志镇.氮化镓材料中的位错对材料物理性能的影响[J]材料导报.2003,(11)
[2]朱丽萍,叶志镇,赵炳辉,倪贤锋,赵浙.立式高真空MOCVD装置及GaN外延生长与器件制备[J]真空科学与技术学报.2004,(06)
[3]洪炜;朱丽萍;叶志镇;唐海平;倪贤锋;赵浙;.硅衬底GaN基LED研究进展[J]材料导报.2005,(01)
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