刘培东
【姓名】 刘培东
【职称】 研究员;
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 硅材料研究与生产
【发表文献关键词】 新施主,氮氧复合物,氧沉淀,氮-新施主,氮-氧复合物,气体熔化分析法,CZ硅,硅中氧,电阻率,氧复合,重掺硅,热施主,载流子浓度,施主浓度,间隙氧,硅原子,直拉硅,硅基体,热处理时间,长大机制,氮浓度...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]刘培东,姜益群,黄笑容,沈益军,李立本,阙端麟.高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制[J]半导体学报.2005,(05)
[2]张锦心,刘培东,李立本.硅中的氮氧复合物及其施主行为[J]浙江大学学报(工学版).2000,(06)
[3]刘培东,黄笑容,沈益军,李立本,阙端麟.重掺硅中氧的测定[J]半导体学报.2001,(10)
[4]刘培东,张锦心,李立本,阙端麟.硅中的氮氧复合物及其施主行为[J]半导体学报.1999,(12)
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[1]刘培东.硅中的碳、氮、氧及其相互作用[D].浙江大学.2003
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