顾星
【姓名】 顾星
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;工业通用技术及设备;
【研究方向】 氮化镓系列材料生长与相关器件研究
【发表文献关键词】 Ⅲ族氮化物,镓源,GaN,镓层氮化技术,薄膜,TEGa,TMGa,石英衬底,铌酸锂薄膜,氯化镓,发光二极管,晶体薄膜,氧压,MOCVD,脉冲激光沉积,多晶,MOCVD生长,氮化镓,c轴取向,PLD法,...
【工作单位】 浙江大学
【曾工作单位】 浙江大学;
【所在地域】 杭州
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[1]邵庆辉,叶志镇,Nasser N.Morgan,顾星,黄靖云,赵炳辉.采用金属镓层氮化技术在石英衬底上生长多晶GaN[J]真空科学与技术.2003,(02)
[2]王新昌,叶志镇,何军辉,黄靖云,顾星,卢焕明,赵炳辉.氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO_3晶体薄膜的影响[J]真空科学与技术.2003,(02)
[3]顾星,叶志镇.Ⅲ族氮化物基发光二极管制造工艺[J]微纳电子技术.2003,(02)
[4]顾星,叶志镇,赵炳辉.MOCVD生长Ⅲ族氮化物镓源的选择[J]半导体光电.2002,(02)
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