田子华
【姓名】 田子华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;自动化技术;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 气敏元件,硅表面,太阳电池,子金,硅单晶,腐蚀液,硅薄膜,化学腐蚀,酸腐蚀,双氧水,元件,涂层扩散,光伏效应,管芯,杂质,杂质源,微晶,本征层,酒敏,定域态,显微照片,非晶,薄膜电池,蚀液,云南大学,...
【工作单位】 云南大学
【曾工作单位】 云南大学;
【所在地域】 昆明
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[1]吴兴惠，李艳峰，周桢来，田子华.实现气敏元件灵敏度倍增的一种方法[J]半导体学报.1994,(09)
[2]张世杰，刘佐权，田子华.CZT晶面蚀坑的形貌分析[J]云南大学学报(自然科学版).1995,(04)
[3]王毓德，吴兴惠，田子华.一种实现气敏元件互补增强原理的新结构①[J]云南大学学报(自然科学版).1997,(01)
[4]胡绪州,田子华,李艳峰.硅单晶化学腐蚀表面的电子金相观察[J]云南大学学报(自然科学版).1980,(00)
[5]刘家谟,陈学全,赵永达,李德明,田子华,李艳峰.硅薄膜太阳电池的研制[J]云南大学学报(自然科学版).1985,(03)
[6]吴兴惠,王正显,王宅中,田子华.QM-Y1型ZnSnO_3气敏元件的研究[J]传感器技术.1987,(Z1)
[7]吴兴惠,田子华,李艳峰,周祯来,王正显,王宅中.QM-Y2型气敏(酒敏)元件研究[J]云南大学学报(自然科学版).1989,(03)
[8]吴兴惠,李艳峰,周桢来,田子华.实现气敏元件高选择性的一种方法[J]半导体学报.1993,(07)
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