金中和
【姓名】 金中和
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 TFT,SiGe,Al_2O_3,缓冲层,绝缘子,多晶,非晶硅,界面质量,溅射,子迁移率,香港科技大学,门电极,迁移率,电机工程,IEEE,薄膜晶体管,溅射沉积,有源层,电介质,阈值电压,
【工作单位】 香港科技大学
【曾工作单位】 香港科技大学;
【所在地域】
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[1]王文,金中和,郭海成.非晶硅缓冲层在具有Al_2O_3门绝缘子的多晶SiGeTFT中的作用[J]现代显示.1999,(04)
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