唐叔贤
【姓名】 唐叔贤
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 低能电子衍射,表面结构分析,Si,表面,遗传算法,表面终止状态,6H-SiC(0001),LEED,表面重构,原子结构,6H-SiC,表面原子,结构分析,可靠性因子,原子吸附,自动搜寻,重构表面,物理...
【工作单位】 香港大学
【曾工作单位】 香港大学;
【所在地域】 香港
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[1]何江平,唐景昌,唐叔贤.遗传算法在低能电子衍射结构分析中的应用[J]浙江大学学报(理学版).2000,(05)
[2]邓丙成,徐耕,陈文华,何永健,谢茂海,唐叔贤.Si(111)-(3~(1/2)×3~(1/2))R30°-Ga表面原子结构[J]半导体学报.2001,(04)
[3]邓丙成,陈滢,徐耕,陈文华,何永健,谢茂海,唐叔贤.ATLEED研究6H-SiC(0001)(3~(0.5)×3~(0.5))R30°重构表面[J]物理学报.2001,(01)
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