Shan
【姓名】 Shan
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 正电子捕获,碳化硅(SiC),电子辐照,正电子寿命,6H-SiC,n型,正电子,EMIS,空位型缺陷,正电子寿命谱,双空位,Data,能级位置,费米能级,物理系,注量,电子能量,费米,模型拟合,正电子...
【工作单位】 香港大学
【曾工作单位】 香港大学;
【所在地域】 香港
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[1]张伶俐,邓爱红,Shan Y Y,Beling C D,Fung S.电子辐照前后的n型6H-SiC低温正电子捕获的研究[J]四川大学学报(自然科学版).2004,(02)
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