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[1]李书平,王仁智,郑永梅,蔡淑惠,何国敏.平均键能方法在应变层异质结带阶研究中的应用[J]物理学报.2000,(08)
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[2]何国敏,郑永梅,王仁智,刘宝林.InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质[J]厦门大学学报(自然科学版).2000,(02)
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[3]廖任远,郑永梅,王仁智,李书平.周期性磁场下的GaAs/Al_xGa_(1-x)As单量子阱中电子的能带结构[J]厦门大学学报(自然科学版).2000,(06)
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[4]李书平,王仁智,郑永梅,蔡淑惠,何国敏.一种由自由电子能带模型计算费米能级的方法[J]发光学报.2001,(02)
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[5]廖任远,蔡淑惠,郑永梅,王仁智,李书平.平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型[J]发光学报.2001,(02)
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[6]何国敏,郑永梅,王仁智,刘宝林.InGaAs/InP量子线的子带结构和光学增益[J]固体电子学研究与进展.2001,(01)
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[7]王仁智,郑永梅,李书平.平均键能E_m的物理内涵探讨[J]物理学报.2001,(02)
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[8]李书平,王仁智,郑永梅,蔡淑惠,何国敏.自由电子能带中的平均键能与费米能级[J]固体电子学研究与进展.2002,(01)
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[9]郑永梅,王仁智,蔡淑惠,何国敏,李书平.自由电子能带模型中的平均键能与费米能级[J]半导体光电.1999,(02)
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[10]何国敏,王仁智,吴正云,郑永梅,蔡淑惠.GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算[J]半导体学报.1999,(01)
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