朱景芝
【姓名】 朱景芝
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;工业通用技术及设备;物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 增透膜,红外,保护膜,射频反应溅射法,Ge_xC_(1-x)薄膜,靶中毒,沉积速率,Ge_XC_（1－X）薄膜,膜的成分,极板间距,磁控反应溅射,硬度测定,气体流,俄歇,非均匀膜,C原子,电子能谱,折...
【工作单位】 西北工业大学
【曾工作单位】 西北工业大学;
【所在地域】 西安
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中国期刊全文数据库    共找到5篇
[1]刘正堂,耿东生,宋建全,朱景芝,郑修麟.磁控反应溅射制备Ge_xC_(1-x)薄膜的结构[J]金属热处理学报.2000,(02)
[2]刘正堂，朱景芝，许念坎，郑修麟.射频反应溅射Ge_xC_（1－x）薄膜的特性[J]红外技术.1996,(05)
[3]朱景芝，刘正堂.红外增透膜和保护膜的设计与材料[J]激光与红外.1996,(04)
[4]刘正堂,朱景芝,宋建权,郑修麟.反应溅射 Ge_XC_(1-X) 薄膜的沉积速率[J]材料工程.1998,(02)
[5]宋建全,刘正堂,朱景芝,郑修麟.极板间距对反应溅射Ge_xC_(1-x)薄膜的影响[J]西北工业大学学报.1998,(04)
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[1]刘正堂;宋建全;朱景芝;耿东生;郑修鳞;.磁控反应溅射Ge_xC_(1-x)薄膜的光学性能[A].第三届中国功能材料及其应用学术会议论文集.1998-10-13
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