余明斌
【姓名】 余明斌
【职称】 教授;
【研究领域】 无线电电子学;物理学;科学研究管理;
【研究方向】
【发表文献关键词】 碳化层,结晶层,量子点,库仑阻塞效应,多孔硅,光学带隙,纳米硅,纳米硅薄膜,硅薄膜,掺Er硅,实验样品,碳化温度,碳化处理,富碳,电导率,衍射峰,库仑阻塞,纳米,碳化,衬底温度,温度猝灭,碳化物,碳硅...
【工作单位】 西安理工大学
【曾工作单位】 西安理工大学;
【所在地域】 西安
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[1]高勇;刘静;马丽;余明斌;.SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析[J]半导体学报.2006,(06)
[2]雷天民,陈治明,余明斌,马剑平,胡宝宏,王建农.Si衬底上外延3C-SiC薄层的XPS分析[J]半导体学报.2000,(03)
[3]余明斌,马剑平,罗家骏,陈治明.在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光[J]半导体学报.2000,(07)
[4]余明斌,杨安,余宁梅,马剑平.用ECRCVD法制备的纳米碳化硅薄膜及其室温下的强光发射[J]半导体学报.2002,(03)
[5]余明斌,张林.申报国家自然科学基金的几点做法和体会[J]科技·人才·市场.1999,(03)
[6]雷天民,陈治明,马剑平,余明斌.Si(111)碳化层中的SiC结晶[J]半导体学报.1997,(04)
[7]余明斌,王燕,刘满仓,马爱华.纳米硅薄膜中量子点的库仑阻塞效应[J]西安理工大学学报.1997,(02)
[8]余明斌,王燕,马爱华,刘满仓.纳米硅薄膜微结构变化对薄膜光电性质的影响[J]西安理工大学学报.1997,(04)
[9]罗家俊，余明斌，王燕.掺Er硅的发光机理的探讨及其应用前景的展望[J]半导体杂志.1998,(03)
[10]余明斌,王燕.多孔硅的形成机制及吸收特性[J]西安理工大学学报.1998,(01)
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