王发展
【姓名】 王发展
【职称】 工程师;
【研究领域】 材料科学;工业通用技术及设备;冶金工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 区熔法,Cu/C复合材料,钨阴极W-ThO_2阴极,纳米复合,W-6%ThO2阴极材料,阴极材料,致密度,C复合材料,均匀性,阴极,电极材料,逸出功,起弧,电弧等离子体,原子,复合材,电子发射能力,钨...
【工作单位】 西安交通大学
【曾工作单位】 西安交通大学;
【所在地域】 陕西西安
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[1]诸葛飞,王发展,张晖,丁秉钧.纳米复合W-6%ThO_2和W-2%ThO_2阴极材料的性能对比[J]稀有金属材料与工程.2003,(02)
[2]王发展,许云华,张晖,丁秉钧.用区熔法制备Cu/C复合材料[J]西安建筑科技大学学报(自然科学版).2000,(04)
[3]王发展,张晖,丁秉钧.W-ThO_2电极材料的研究进展[J]兵器材料科学与工程.2001,(04)
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