林再民
【姓名】 林再民
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 衬底温度,射频溅射,非晶硅,光致发光谱,光致发光特性,杂质缺陷,测试装置,退火温度,悬键,峰值强度,退火处理,电学,实验结果,光致发光光谱,缺陷态,密度降低,增大,光学性质,局域态密度,工艺参数,
【工作单位】 中山大学
【曾工作单位】 中山大学;
【所在地域】
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[1]林再民,丁小宁,彭少麒.射频溅射a—Si:H的光致发光光谱[J]中山大学学报(自然科学版).1986,(02)
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