朱永刚
【姓名】 朱永刚
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 UHV/CVD,化学气相淀积,超高真空,SiGepnpHBT,Ge分布,电流增益β,特征频率fT,晶体管,三角形分布,紫外,集电区,组分分布,基区,杂质外扩,集电结,淀积技术,掺杂浓度,二次离子,异质...
【工作单位】 西安电子科技大学
【曾工作单位】 西安电子科技大学;
【所在地域】 西安
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[1]李立;戴显英;朱永刚;胡辉勇;.基区Ge组分分布对SiGe pnp HBT的影响[J]电子器件.2006,(03)
[2]胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,朱永刚,王顺祥,王伟,崔晓英,王青,王喜媛.SiGe HBT发射极延迟时间模型[J]半导体学报.2005,(07)
[3]胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,王顺祥,朱永刚,区健锋,俞智刚,马何平,王喜媛.应变Si调制掺杂NMOSFET电子面密度模型[J]电子学报.2005,(11)
[4]胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,李开成,王伟,朱永刚,王顺祥,崔晓英,王喜媛.UV/UHV/CVD生长应变Si_(1-x)Ge_x层(英文)[J]半导体学报.2005,(04)
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