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[1]王剑屏,徐娜军,张廷庆,汤华莲,刘家璐,刘传洋,姚育娟,彭宏论,何宝平,张正选.金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应[J]物理学报.2000,(07)
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[2]王剑屏,郝跃,彭军.SiC单片集成电路工艺技术[J]西安电子科技大学学报.2000,(02)
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[3]张廷庆,刘传洋,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,姚育娟.低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应[J]物理学报.2001,(12)
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[4]王剑屏,郝跃,彭军,朱作云,张永华.蓝宝石衬底上异质外延生长碳化硅薄膜的研究[J]物理学报.2002,(08)
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[5]张进城,郝跃,赵天绪,王剑屏.SiC新型半导体器件及其应用[J]西安电子科技大学学报.2002,(02)
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[6]王剑屏,郝跃,彭军,朱作云,张永华.碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究[J]西安电子科技大学学报.2002,(04)
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[7]王剑屏,郝跃,彭军,朱作云,张永华,宋国乡.蓝宝石衬底异质外延碳化硅薄膜反应机理研究[J]功能材料与器件学报.2002,(04)
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[8]王剑屏,郝跃,宋国乡,彭军,朱作云,张永华.APCVD生长碳化硅薄膜中汽相结晶过程的研究[J]光子学报.2002,(07)
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[9]刘传洋,张廷庆,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,姚育娟,王宝成.低剂量率下MOS器件的辐照效应[J]微电子学.2002,(01)
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[10]张廷庆,刘家璐,李建军,王剑屏,张正选,徐娜军,赵元富,胡浴红.BF_2~+注入加固硅栅PMOSFET的研究[J]物理学报.1999,(12)
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