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[2]赵志强,张廷庆,刘家璐.电荷耦合器件电荷传输效率的模拟与分析[J]西安电子科技大学学报.2000,(04)
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[3]张廷庆,刘传洋,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,姚育娟.低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应[J]物理学报.2001,(12)
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[4]刘家璐,李煜,刘传洋,刘泽,宋李梅,张廷庆.InSb红外探测器衬底应力的模拟与分析[J]西安电子科技大学学报.2001,(03)
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[5]刘传洋,张廷庆,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,姚育娟,王宝成.低剂量率下MOS器件的辐照效应[J]微电子学.2002,(01)
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[6]张廷庆,刘家璐,李建军,王剑屏,张正选,徐娜军,赵元富,胡浴红.BF_2~+注入加固硅栅PMOSFET的研究[J]物理学报.1999,(12)
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[7]刘家璐，张廷庆.硅中离子注入RTA剩余损伤对p－n结反向漏电流的影响[J]微电子学.1994,(02)
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[8]刘家璐,张廷庆,张正选,赵元富.BF_2~+注入多晶硅栅的SIMS分析[J]电子科学学刊.1994,(05)
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[9]严北平,刘家璐,张廷庆,王朝东,郎维和,张宝峰.移动加热器法生长碲镉汞晶体的数值模拟[J]物理学报.1995,(03)
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[10]张廷庆,刘家璐.BF_2~+,F~+ +B~+和Ar~++B~+注入硅快速退火剩余损伤及对浅P~+N结的影响(英文)[J]固体电子学研究与进展.1989,(04)
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